Si buscas un MOSET con encapsulado SMD especialmente indicado para aplicaciones de switching, de baja potencia, dirigidas por batería y capaz de trabajar con niveles lógicos, te presento al FDS6690A.
Estamos ante un MOSFET N-Channel, capaz de soportar corrientes de 11 amperios y tensiones de hasta 30 voltios. Cuenta además con una baja resistencia de encendido lo que le confiere gran rapidez en los flancos de subida y bajada de la conmutación.
Con respecto a esto último, es capaz de superar los flancos de subida en tan solo 10 nanosegundos y los flancos de bajada en algo menos de 20 nanosegundos, obviamente esto variará en función de los parámetros bajo los cuales lo hagamos trabajar.
Según su gráfica de características de transferencia, sería capaz de trabajar con 30 amperios utilizando como tensión de puerta tan solo 3,3 voltios. Esto es lo que diferencia principalmente a un MOSFET común de un MOSFET de nivel lógico.
Aunque este tipo de MOSFET (los Logic-Level) se utilizan principalmente en aplicaciones de conmutación, nada impide hacerlo trabajar en la zona lineal.
Otro parámetro interesante a tener en cuenta es la resistencia RDS(on), la cual es realmente baja, del orden de 15 mili-Ohmnios para una tensión VGS de unos 5 Voltios. Con esto lo que vamos a conseguir es que el MOSFET pueda abastecer de corriente suficiente a la carga sin tener apenas perdidas de potencia en forma de calor (siempre y cuando lo hagamos trabajar en condiciones óptimas).
En definitiva, un componente que no debería faltar en tu caja de componentes si trabajas con componentes de montaje superficial (SMD ó SMT)
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